KB体育英飞凌在华投资计划：丰富IGBT产品线助力新能源汽车发展英飞凌在第三届中国国际进口博览会上宣布，将新增在华投资，扩大其无锡工厂的IGBT模块生产线。无锡工厂扩产后，将成为英飞凌最大的IGBT生产基地之一。英飞凌将以更丰富的IGBT产品线，满足快速增长的可再生能源、新能源汽车等领域的应用需求。
IHS Markit的统计数据显示，英飞凌是全球排名第一的IGBT供应商。IGBT是功率半导体器件第三次技术的代表性产品。产品具有高频率、高电压、大电流、易于开关等优良性能，是能源转换和传输的核心器件，被业界誉为功率变流装置的“CPU”。IGBT可广泛应用于轨道交通、航空航天、船舶驱动、智能电网、新能源、交流变频、风力发电、电机传动、汽车等强电控制产业领域。
建成后的新生产制造中心将生产用于电动汽车的HybridPACK™双面冷却模块，用于风电、光伏及众多工业应用的EasyPACK™1A/2A模块和1B/1B模块，用于家电和工业等领域的CIPOS™Mini智能功率模块(IPM）等功率模块器件。其中，HybridPACK™双面冷却模块是英飞凌全新的IGBT产品，可应用于混合动力及电动汽车的主逆变器和充放电。目前该模块已成功用于全球多款插电式混动、电动汽车中。
英飞凌科技首席运营官Jochen Hanebeck表示：“中国在英飞凌的全球业务中占有重要的战略地位。无锡工厂的升级扩能，不仅能进一步提升我们在中国的产能，而且还将帮助英飞凌巩固其在全球IGBT业务发展中的领导地位。”
英飞凌科技大中华区总裁苏华博士表示：“我们非常高兴能够在进博会上，与无锡市政府一起启动英飞凌无锡IGBT生产项目。英飞凌在中国的成功发展，得益于中国持续良好的营商环境。今年也是英飞凌连续第三年参与进博会。正如习主席在进博会的主旨演讲中所强调的，中国将坚定不移全面扩大开放。英飞凌也将凭借创新的产品和服务，与我们在中国的合作伙伴一起，打造一个更加‘便利、安全和环保的世界’。”
今年是英飞凌连续第三年参加进博会。进博会为我们提供了一个极佳的契机，向更多的中国观众展示英飞凌的技术领导力，增强与现有合作伙伴的交流互动，还收获了更多的潜在客户。
我们希望能够借此平台，让大家更多地了解到，在数字化浪潮之下，众多新兴应用的背后，半导体技术所发挥的重要作用。
今年新冠肺炎疫情对全球经济造成了重创。但是，中国处置迅速，是疫情爆发后，第一个恢复经济增长的主要经济体。疫情之下，进博会的如期举行，进一步显示了中国扩大对外开放，推动经济全球化的坚定决心。
中国的持续改革开放为内资和外资企业都营造了一个充满活力和机遇的大市场。进博会就是一个很好的例子，它为像英飞凌这样的外资企业提供了一个绝佳的舞台，在这个前景无限的市场中探索更大的机遇。
自1995年10月在无锡建立第一家企业以来，英飞凌业务增长迅速，过去十年间一直保持着每年近两位数的业务增长。
鉴于中国市场的重要性，2018年，英飞凌成立大中华区，作为独立区域运营。2019年11月，英飞凌大中华区新总部正式入驻上海张江人工智能岛。
2018年，英飞凌科技携手上汽集团在华成立功率半导体合资企业，为中国电动汽车市场提供功率解决方案，旨在为中国境内新能源产业链的客户提供更加便捷、更加优质的服务和体验。
2019年财年，英飞凌大中华区在公司全球总营收中占比35%，成为英飞凌最大的单一营收来源区域，为英飞凌全球业务发展提供了重要推动力。
这些年，中国经济的增长令人瞩目，在推动国民经济转型方面取得了显著成就，在实现经济高质量、可持续增长这一长期目标的道路上稳步前行。
中国在全球市场中扮演着重要角色。中国的双循环经济战略强调了国内市场的重要地位，同时，进一步表明了中国扩大开放、推进经济全球化，并与其他国家合作共赢的诚意和决心。无论是内循环还是外循环，都将转化成更大的需求和机遇。
2020年4月16日，英飞凌宣布正式完成对赛普拉斯半导体公司的收购，成功跻身全球十大半导体制造商之一，跃居成为全球第一的功率分立器件及模块以及车用半导体厂商。
英飞凌和赛普拉斯的结合将实现1+1>
2的效果。“新”英飞凌将拥有业界极为丰富的产品组合，这将为本土客户提供一站式的购物体验，助力客户的应用创新。同时，我们也拥有广泛的全球网络，能够为本土客户的全球化提供更好的服务。
贴近本地市场需求，为本土客户提供定制化半导体模块，主要面向光伏、充电桩、电动大巴等新能源应用市场。
这些定制化半导体模块将在英飞凌的无锡工厂投产。这将有效提升本地供应链的效率，助力客户降低成本，缩短产品投入市场的时间。
在深圳开展能力中心建设：今年7月，英飞凌在深圳建设新的能力中心，赋能智慧城市、物联网等各大产业，为本地客户提供智能化、高安全性和高能效的半导体产品及解决方案。
中国丰富的应用场景为人工智能等领域的技术和应用创新创造了广阔的土壤和良好的环境。而推动科技发展的基石正是半导体科技。因此，中国不断发展的应用场景对半导体解决方案的创新和品质也提出了非常高的要求。
作为全球最领先的半导体公司之一，英飞凌更够提供全面的半导体解决方案，不断地满足本土客户的需求：实现智能出行、高效的能源管理以及安全的数据采集与传输。同时，英飞凌一直是业界的质量领袖，一贯追求高品质、零缺陷，致力于提供全面的半导体解决方案。以英飞凌无锡工厂为例，每10亿芯片的缺陷数量不足4个，这在业界是一个非常了不起的数字。
中国的丰富的应用场景，也为业界生态伙伴的合作搭建了一个非常好的平台。英飞凌也始终致力于通过这样的平台，加强与本土合作，深入了解用户需求，反过来也推动自身的技术创新，以更好地服务本土客户。
半导体技术是一切科技创新的基石。随着人工智能等新兴领域的发展，在数字化转型的浪潮之下，各行各业都需要更智能、更高效、更可靠、更安全的解决方案，以实现安全的数据采集和分析，并基于此做出智能的决策，而英飞凌的半导体解决方案在每一环节中都能够发挥重要作用：
先进的传感功能（类似的感官）：传感器无处不在，可以说它们是物联网的“起点”，能够从物联网终端设备周围的环境中获取有意义的数据。
交叉应用控制（类似人类的脑）：微（MCU）通过收集、协调、处理、分析和传输数据来控制物联网设备并对其作出指示，使其更加“智能化”。
安全解决方案（类似人类的免疫系统）：安全解决方案能够为系统和设备构筑一层屏护，以保护个人隐私、知识产权和公共安全。
半导体行业是一个全球化的产业，我们期待通过合作扩大市场、激发创新、创造价值、实现共赢。这也是为何我们将本土生态圈建设作为我们企业发展战略中非常重要的一个部分。我们生态圈建设的愿景是：聚力赋能、破界共创、增值共赢。
上海作为中国最大的经济中心，一直高度重视科技对产业的引领作用，致力于以创新驱动发展，为企业提供了良好的环境与资源，并汇聚了大批科技人才，张江人工智能岛的设立就是一个很好的例子。
2019年11月，英飞凌大中华区新总部正式入驻上海张江人工智能岛。上海张江人工智能岛是一个充满活力的科技产业聚集地，让我们能够更贴近本土生态圈，为员工创造更优的工作环境，助力公司在大中华区的业务发展并加强本土客户支持。
英飞凌一直是业界的质量领袖，一贯追求高品质、零缺陷。以英飞凌无锡工厂为例，每10亿芯片的缺陷数量不足4个。
英飞凌的碳化硅技术（碳化硅属第三代半导体材料）应用到主逆变器，在基于800伏的系统下，可实现7%以上的续航里程的提升，已经得到了主车厂的认可。
2019年，全球最畅销的纯电动汽车（BEV）和插电式混合动力汽车（PHEV）中，有15款在电动动力传动系统中采用了英飞凌的功率器件；2020年至2021年，将会有35款采用英飞凌产品的全新BEV和PHEV车型开始量产。
自动驾驶程度越高，需要的雷达传感器模块也会越多。英飞凌是最大的车用77GHz雷达芯片供应商。市场上三分之二的77GHz雷达芯片都来自英飞凌。
保障互联世界的安全：全球约有一半的政府证照采用英飞凌的安全芯片；中国主要银行和主要城市的交通卡也采用英飞凌的安全芯片。
推动物联网和大数据的发展：英飞凌能够为智能设备、家居、城市、工厂等提供智能、安全和高效的物联网解决方案（传感器、、功率器件和安全认证产品）。同时，英飞凌可为数据中心和服务器提供最先进的功率解决方案，为5G等关键设施提供全球领先的射频芯片。
光伏IGBT缺货涨价替代加速，国产化率将翻倍增长，其中士兰微已经做到了全球前10，其光伏IGBT已经在国内主流逆变器厂商都测试通过及上量。 现有的电磁感应加热电路中一般是通过给IGBT提供占空比逐渐增加的栅极驱动信号使得电路软启动，但由于电磁感应加热电路中的输入端电压一般都比较高，如果采用传统的逐步增加栅极驱动占空比方式驱动，启动阶段的每次开关周期的开通瞬间都会产生很大的短路电流，使得流经IGBT的电流非常大，这种浪涌电流一方面会造成较大的电磁噪声，影响用户的使用体验，另一方面还会对IGBT的使用寿命造成影响，甚至会直接烧坏IGBT导致电磁炉失效。 为此，士兰微于2021年6月18日申请了一项名为“IGBT的驱动电路和驱动方法”的
产品 /
【2021年8月3日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司,推出业界首款支持USB Power Delivery（USB PD）3.1的高压微（MCU）。该芯片简称为EZ-PD™ PMG1（Power Delivery Microcontroller Gen1），是英飞凌第一代USB 支持PD的MCU，针对需要高达28 V（140 W）的高压供电或受电的嵌入式系统。该器件支持USB PD 3.1规范中定义的更大功率，并利用MCU提供额外的控制功能。新产品非常适合消费市场、工业市场和通信市场的诸多应用，如智能扬声器、路由器、电动工具和园艺工具等。 PMG1系列集成了经市场验证的USB PD协议栈，能实现可靠的性能和高互操作性。
推出业界首款支持更大功率的USB PD 3.1高压微 /
在UPS 中使用的功率器件有双极型功率晶体管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT 既有功率MOSFET易于驱动、控制简单、开关频率高的优点，又有功率晶体管的导通电压低，通态电流大的优点、使用IGBT 成为UPS 功率设计的首选，只有对IGBT的特性充分了解和对电路进行可靠性设计，才能发挥IGBT 的优点。本文介绍UPS中的IGBT的应用情况和使用中的注意事项。 IGBT在UPS中的应用情况 绝缘栅双极型晶体管IGBT是一种 MOSFET 与双极晶体管复合的器件。它既有功率MOSFET易于驱动、控制简单、开关频率高的优点，又有功率晶体管的导通电压低，通态电流大，损耗小的显著优点。据东芝公司资料，1200V/100A
设计UPS的技术方案 /
2017年3月14日，中国上海讯—智能家电中的程序漏洞可能让您的人身安全处于危险之中。黑客们会找出联网智能家电中的漏洞，给家庭用户带来风险：他们可以个人密码，对您的居家生活了如指掌，甚至远程操控家用电器。英飞凌科技股份有限公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）今天携手美的智慧家居开发出了新一代智能WiFi模块，可有效保护数据传输，当智能家电启动时对其进行身份验证，当其联网或互相之间传输数据时确保信息的安全。 过去三十年来KB体育KB体育，英飞凌一直称雄全球安全芯片市场，针对智能家电应用可提供一系列满足安全需求的产品。英飞凌硬件安全芯片为家电身份验证提供易于使用的整体解决方案，提升了原有的纯软件认证方案的安全级别。芯片采用E
携手美的为安全智能家电提供智能WiFi模块 /
日前，Power Intergration借参加欧洲PCIM大会之际，宣布推出三款颇具创意的新品，包括电机驱动、IGBT门级驱动以及车用InnoSwitch产品，彰显了PI多元化的产品组合。PI资深技术培训经理阎金光详细介绍了这三款新品。 电机驱动BridgeSwitch BridgeSwitch系列集成半桥极大简化了应于用单相或多相PM电机及BLDC电机驱动的高压逆变器的开发和生产。完全集成的半桥集效率可达98%，无需采用额定连续RMS电流的外部散热片。 BridgeSwitch集成了半偏置供电的下管和上管驱动器，无需辅助电源。内置的电机过流保护可增强安全性和可靠性。 阎金光表示，如今单相直流无刷电机由于其低噪音、高
2014年11月18日，北京——全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出新一代绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 技术平台KB体育。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT平台适用于符合行业标准的TO-247封装，并采用IR新一代沟道栅极场截止技术，为工业及节能应用提供卓越性能。 全新的Gen8组件提供从8A到高达60A的电流额定值，加上1.7V典型VCE(ON) 和10µs短路额定值，能够减少功耗，有效增加功率密度并带来卓越的耐用性。 IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“IR通过开发全新基准技术及顶尖的IGBT硅平台，彰显其数十年来致力
英飞凌荣获三项CES 2023创新大奖 【2022年12月16日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司旗下的EXCELON™ F-RAM存储器、XENSIV™连接传感器套件（CSK）和用于智能家居领域的智能报警系统（SAS）三款产品，荣获CES® 2023创新大奖。今年，超过2100种产品参与了该奖项的角逐，申报总量创下历史新高。获奖结果在2023年国际消费电子展（CES 2023）开幕之前进行了公布。全球最具影响力的科技盛会CES 2023将于1月5日至8日在美国内华达州拉斯维加斯举行。 CES创新奖由美国消费者技术协会（CTA）主办，是一场年度奖项评选活动，旨在从28个消费技术产品类别中评选出杰出的设计与工程产品进行
荣获三项CES 2023创新大奖 /
IGBT在电机驱动中所发挥的作用非常重要，IGBT的性能影响着电机驱动的稳定性。其主要作用包括： 电能转换：IGBT将直流电能转换为交流电能，实现电机的正常运行。它作为逆变器的关键组件，将直流电源转换为可调频率、可调幅度的交流电源供给电机。 控制电流和电压：IGBT能够精确地控制电流和电压的大小，通过调节IGBT的开关状态和脉冲宽度调制（PWM）技术，实现对电机的精确控制。这种控制能力可以用于调整电机的转速、扭矩和运行方向。 提供高效的能量转换：由于IGBT具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够实现高效的能量转换。这有助于减少能量损耗、提高系统效率，并降低电机驱动系统的热量产生。 实现保护功能：IGBT在电机驱动中起到
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的几种驱动电路的分析 target=_blank
直播回放: 基于Source-down技术的全新英飞凌MOSFET，有效提升功率密度，肉眼可见
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