KB体育英飞凌押注氮化镓芯片 有望在数据中心领域大幅放量据行业媒体报道，欧洲芯片制造商英飞凌押注下一代功率半导体，用于从超高速手机充电器到电动汽车的各种领域，以求在更广泛的芯片市场低迷的情况下刺激增长。英飞凌功率和传感器系统总裁怀特表示，英飞凌特别看好氮化镓（GaN）芯片。该公司预测，到2027年，氮化镓芯片市场将以每年56%的速度增长。
Yole预测，GaN射频器件市场规模将从2020年的8.91亿美元增长到2026年24亿美元， 复合年均增长率为18%。 GaN功率器件市场规模将从2020年的0.46亿美元增长至2026年11亿美元，复合年均增长率为70%。机构分析指出，英飞凌收购GaN Systems一方面体现了GaN在汽车、数据中心、工业等应用领域的未来发展前景，另一方面也预示着产业链竞争或将进入整合阶段。
赛微电子GaN业务团队在材料和器件上均实现了技术突破，在GaN外延片方面，公司已具备6-8英寸GaN外延材料生长能力且技术成熟；在GaN器件设计方面，公司在技术、应用及需求方面也进行了迭代并实现销售。
新洁能650V/190mohm E-Mode GaN HEMT产品开发完成，产品各项电学参数指标达到国内领先水平，项目产品通过可靠性考核，100V/200V GaN产品开发中。
2016年11月16日，德国慕尼黑和瑞士圣加仑讯—英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）与RFbeam Microwave GmbH今日推出一款收发器模块，它是全球体积最小、功耗最低的解决方案之一。来自RFbeam的全新低成本24 GHz 收发器系统模块，采用英飞凌的24 GHz雷达传感器BGT24LTR11和BGT24MR2，为需要让产品实现运动检测或速度/距离测量功能的原始设备制造商，提供了一种即插即用式解决方案。 该产品的潜在应用包括高级运动检测、速度、方向和距离测量等。这些领域的应用示例包括：运动和在场检测，譬如，它们可集成于广告展板等。在交通应用中，雷达系统可用于道路施工的红灯管理或
推出全球体积最小、功耗最低的收发器解决方案 /
英飞凌科技(Infineon)日前推出全新的射频识别(RFID)产品──PJM LightRFID芯片 SRF 66V01ST ，提供1kbit的记忆容量，以及能防止未经授权存取保护资料的隐私保护功能。 相较于目前市面上的RFID解决方案，PJM(Phase Jitter Modulation)芯片能以电子非接触式同时识别数百个对象，即使这些对象处于相互堆栈或高速移动状态下。除了应用于文件管理外，PJM Light芯片能以最低的成本，实现库存盘点与快速有效的供应链管理，适合医疗程序、药品与如医疗植入等医疗应用。 此外，英飞凌也与澳洲Magellan Technology Pty Ltd宣布，将扩大双方的授权
芯片公司英飞凌科技股份公司（德国慕尼黑）首席执行官彼得·鲍尔（Peter Bauer）表示，由于身体原因，本财政年度结束后将卸任。 鲍尔2008年担任英飞凌CEO，此前曾是英飞凌公司汽车、工业和多种经营业务的负责人。 在他的带领下，英飞凌成功摆脱了奇梦达的困扰，并且成功将无线部门出售给英特尔。 这也是继飞思卡尔Rich Byer之后，第二位宣布辞职的知名半导体高管。
2016年5月10日，德国慕尼黑讯 英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）推出性的碳化硅（SiC）MOSFET技术，使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。英飞凌的CoolSiC MOSFET具备更大灵活性，可提高效率和频率。它们将有助于电源转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低散热要求，并提高可靠性和降低系统成本。 英飞凌工业功率控制事业部总裁Helmut Gassel博士指出： 20多年来，英飞凌一直走在开发SiC解决方案的最前列，致力于满足用户对节能、缩减尺寸、系统集成和提高可靠性的需求KB体育。英飞凌制造出数百万件含有SiC器件的产品，而我们的肖特基二极管和J-FET技术
推出1200 V碳化硅MOSFET技术，助力电源转换设计 /
大联大控股宣布，其旗下品佳推出基于英飞凌TLD5098EL的汽车大功率LED可调光驱动方案，这种具备内置短路保护功能的超灵活直流/直流升压IC针对汽车LED应用进行定制。其主要功能是增大(提高)或减小(降低)输出电压，保持恒定的LED电流。 TLD5098EL可应用于升压-接地(B2G)、升压-电池(降压-升压)和SEPIC配置，能够使电压升高至60V。模拟调光功能可用于调节LED平均电流，校准LED的亮度或发挥热应力保护作用。TLD5098EL的外部控制概念包含两个外置的MOSFET，该MOSFET可针对所需的正向电流进行优化。 产品规格 ‧负载：大功率LED ‧输入电压：4.5V~45V ‧PWM频率：10
2012年11月16日，德国纽必堡和法国巴黎讯——英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日在智能技术展会“2012年智能卡暨身份识别技术工业展”（Cartes 2012）上证实，其面向支付应用的新一代安全产品大获成功。基于凌捷掩膜?技术的安全已在全球范围内被广泛用于众多关键项目。德国Sparkasse Verlag的、瑞士的Maestro借记卡和法国的Carte Bancaire卡都将配备英飞凌的全新凌捷掩膜安全。随着产量的提高，这些安全还将被用于其他欧洲国家、美洲以及非洲和亚洲（日本、中国、韩国、印度尼西亚）的项目中KB体育。 英飞凌凌捷掩膜安全是基于最
面向支付应用的凌捷掩膜™安全在全球众多关键项目中得到采用 /
2007年8月24日，英飞凌科技（无锡）有限公司今日举办新厂房揭幕剪彩仪式。英飞凌科技亚太私人有限公司总裁兼执行董事潘先弟等诸位高层领导专程访华，庆贺新厂房正式投入使用，充分体现了英飞凌巩固并强化在华生产能力的决心，以及对于深化本地合作、进一步发展智能卡模块和分立器件市场的重视。无锡市相关政府领导和英飞凌在当地的客户、合作伙伴代表等共同出席了这一盛事。 英飞凌科技（无锡）有限公司创建于1995年10月，是英飞凌科技有限公司的全资子公司，主要负责智能卡模块和分立器件的生产业务。在半导体行业的诸多企业之中，英飞凌科技（无锡）有限公司率先入驻无锡高新技术园区，占地20,418平方米。公司发展12年来，与无锡市政府及当地的合作伙伴均建立
【2024年1月24日，德国慕尼黑讯】随着USB-C电源传输（PD）充电技术的日益普及，整个消费市场对兼容性强的充电器的需求也在增加KB体育。如今，用户需要功能强大而又设计紧凑的适配器。 英飞凌科技股份公司推出的次级侧受控ZVS反激式转换器芯片组 EZ-PD™ PAG2可以满足这一需求。该芯片组由EZ-PD PAG2P和EZ-PD PAG2S两款不同的型号组成，集成了USB PD、同步整流器和PWM。 它能够使用脉冲-边沿转换器（PET）CYPET121确保初级侧和次级侧之间的高效通信与隔离。该产品通过支持创新的非互补有源钳位反激式（NCP-ACF）和零电压开关准谐振反激式（QR-ZVS）拓扑结构提高了效率，适用于高能效的USB-C
推出新一代 ZVS 反激式转换器芯片组，适用于先进USB-C PD适配器和充电器 /
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功率晶体管技术 target=_blank
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直播回放: 基于Source-down技术的全新英飞凌MOSFET，有效提升功率密度，肉眼可见
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